天才一秒记住【梧桐文学】地址：https://www.wtwx.net
“准备车。”
他转身，“晚上我去见他。”
“太危险了！”
石小娥脱口而出，“那里属于原石小研发基地，现在名义上归政府托管，但实际上已被任家势力渗透。
前几天还有技术人员举报设备被盗拆卖废铁！
而且……林昭突然提出秘密会面，万一是个局？”
尚德看着她，眼神平静却不容置疑。
“我知道你在担心什么。
但你要明白，真正的变革从来不在会议室里发生，而在那些没人看得见的角落，在一群不肯睡去的人手中，一点一滴拼出来的。”
他顿了顿，嘴角扬起一丝极淡的笑：“再说，我可是重生者。
他们设的局，我大多……都经历过。”
夜幕降临，太湖科学园一片死寂。
园区路灯多半损坏，唯有B区几扇窗户透出微弱蓝光。
尚德戴着口罩，身穿普通夹克，避开正门监控，从西侧排水涵洞潜入。
石小娥坚持跟来，在外围接应。
地下实验室位于负二层，需通过一道锈蚀的电梯井下行。
当尚德推开最后一道铁门时，眼前的景象让他心头一震。
原本应是空置状态的实验室内，竟亮着数台仍在运行的仪器。
示波器闪烁波形，真空腔体嗡鸣运转，中央工作台上摆满了手写笔记与打印图纸。
林昭背对着门口，正在调试一台老旧的MOCVD设备。
听到脚步声，他猛然回头，见到尚德，眼中闪过惊愕，随即变为复杂的情绪。
“你真来了。”
他说，“我还以为你会派个代表。”
“这种事，必须亲眼看见。”
尚德走近，“你说的数据，是什么？”
林昭没有立刻回答，而是打开一台加密硬盘，调出一组三维仿真模型。
画面旋转间，一个全新的异质结结构逐渐显现。
“这是我们过去半年偷偷做的模拟实验。”
他的声音压得很低，“传统GaN-on-Si存在两大瓶颈：一是晶格失配导致缺陷密度高；二是散热差，无法承受高功率长期工作。
我们尝试用AlN梯度缓冲层+纳米岛状成核技术，结合低温外延生长工艺，在普通硅衬底上构建出类SiC性能的过渡层。”
尚德盯着屏幕，心跳加快。
这……正是前世那位巨头收购的核心专利雏形！
“你们做过实测吗？”
“上周三，我们在一家民营流片厂做了第一次试产。”
林昭调出另一组数据，“虽然只拿到了三片晶圆，良率只有17%，但其中一片成功做出了耐压超过650V、导通电阻低于4.3mΩ的HEMT器件。
这是目前国内同规格产品中最好的表现。”
尚德深吸一口气。
这意味着什么？意味着中国有望摆脱对进口碳化硅衬底的依赖，意味着新能源汽车、充电桩、5G基站的核心电源模块可以实现完全国产化，意味着千亿级市场的自主可控！
本章未完，请点击下一章继续阅读！若浏览器显示没有新章节了，请尝试点击右上角↗️或右下角↘️的菜单，退出阅读模式即可，谢谢！