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第四百七十四章存储芯片
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这时，一直没说话的夏培肃开口道：“庞总，你的意思是，星环科技未来的发展方向是开发一种全新的互联网终端，并且依靠这种终端，支撑起一个全新的系统和指令集架构体系，并且形成生态闭环？”
庞学林笑着点了点头，说道：“没错，就是这个意思。”
夏培肃皱眉道：“如果这样的话，那段时间内，海思半导体只有投入，没有产出，你能撑多久？”
庞学林微微一笑，说道：“这个不难，华威接下来准备进军移动通信运营商业务，有很多芯片都需要从国外采购，海思半导体可以承接部分芯片比如DSP芯片，ASIC芯片，FPGA芯片等等的研发工作。
另外，在消费者业务领域，我们还准备做快闪储存器以及第二代同步动态随机存取内存。”
“快闪储存？第二代同步动态随机存取内存？”
夏培肃和倪光南对视一眼，均吃了一惊。
快闪储存，指的就是闪存。
在这个时代，这两项技术都尚未完全成熟。
1984年，东芝公司的舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器的概念。
与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性，其记录速度也非常快。
英特尔是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。
1988年，英特尔公司推出了一款256Kbit闪存芯片。
它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。
后来，英特尔发明的这类闪存被统称为NOR闪存。
它结合EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个SRAM接口。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。
其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。
它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。
这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。
若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。
可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。
若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。
若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。
擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。
但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。
写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。
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