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相对比2o24年挤牙膏似的性能推进，2o25年各大厂商在芯片领域的进步，简直是爆杀般的推进。
仅仅一年，就足以抵得上过去五六年的时间。
无论是英伟达推出的的B1acke11u1traaI芯片，还是高通推出的自研全新oryon核心的骁龙8gen4，亦或者是苹果推出的全新5g芯片，对于芯片和半导体领域来说，每一个对于往年的成品都堪称是黑科技般的存在。
尤其是对于国内的半导体行业来说，更是如同降维打击般的技术。
华威的麒麟芯片的确很强，海思的设计也很厉害，足以杀进高端领域了。
但对于华威来说，如何制造出5纳米，3纳米和2纳米的芯片，才是最大的问题。
毕竟在那些不友好的西方利益集团的操控下，有能力生产3纳米和2纳米顶级芯片的晶圆代工厂，都拒绝接单，更是拒绝向他们提供低纳米高性能的芯片。
不得不说，这一场国际固态电路峰会，各大半导体厂商展露出来的实力，的确强的有点夸张了。
不过庆幸的是，幸运女神是站在他们这边的。
碳基芯片技术的突破，足够改变这一切！
碳元素的导电性能要比硅元素更优秀，相比之下，碳基芯片能够提供更高的计算和更高的储存容量。
而由碳纳米管制备而成的碳基芯片，无论是在优越的性能上，还是更低的功耗特性上，都比硅基芯片更加的适合用于高展的科技领域。
更关键的是，这是一片空白的领域，未来展前景非常广阔。
相对比硅基芯片来说，碳基芯片的上限会更高。
再加上后续随着技术的不断展和成熟，碳基芯片的制造技术难度将会降低，成本也会随之降低。
没有任何悬念的说，在成品碳基芯片已经出现的今天，他们才真正的掌握着未来的信息领域！
脑海中的思考转动着，徐川嘴角勾起了一抹笑容。
关掉了Isscc国际固态电路峰会相关的报告后，他新建了一篇论文报告。
思忖了一会后，他敲响了键盘。
《基于高密集成碳纳米管阵列的高性能碳基芯片！
》
手指在键盘上敲击了几下，一个通俗易懂的标题悄然映入徐川的眼帘中。
看着屏幕上的论文标题，他的嘴角勾起了一抹弧度。
既然需要他帮忙在半导体领域分担一些压力，正好他现在也有这个能力，不如顺便借助这个机会更进一步的推动一下《探索》期刊的影响力好了！
相信没有任何一个人，会错过《探索》期刊接下来最新一期的《探索·总刊》与《探索·材料》！
在aI学术小助手的帮助下，花费了大半天的时间，将《基于高密集成碳纳米管阵列的高性能碳基芯片！
》论文编写了出来。
相对比数学物理这种基础学科的论文来说，这种有着成品和详细实验数据的偏向工业的论文要好写太多太多了。
无论是论文本身，还是相关的实验数据，都有完整的文件可以参考。
毕竟碳基芯片实验室那边可是真正的制备出来了每平方毫米集成一千万颗晶体管，频率高达为5.8ghz的成品芯片的。
只不过是将其整理出来，然后简单的用一些自己的理解和语言去描述碳基芯片的未来，这对于他来说，再简单不过了。
要不是因为考虑到某些实验数据或地方可能会涉及到一些保密的东西，写这种论文的度还可以更快一点。
让小灵帮忙检查了一遍后，徐川又完整的检查了一遍这篇新鲜出炉的论文，确认没有问题后，他将其与另一篇论文，《基于碳基半导体材料高密集成碳纳米管阵列的方法》通过专用内网给了《探索》的副总编欧阳稷。
前者刊登到《探索·总刊》上，后者则作为《探索·材料学》的开刊论文。
相信接下来一段时间，学术界和工业界都会热闹，甚至疯狂起来的！
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